 Затем, очевидно, нужно добиться того, чтобы все атомы паров цезия обязательно столкнулись, по меньшей мере один раз, с поверхностью вольфрама. Ни один атом не должен ускользнуть от этого, ибо он приведет к снижению коэффициента ионизации, т. е. доли ионизованных атомов в их общем числе, и, следовательно, к ухудшению работы источника, его утяжелению и др.
Чтобы добиться указанной цели, нужно, очевидно, всемерно развивать
поверхности контакта вольфрама с цезием. Вот почему наибольшее
применение получили пористые вольфрамовые перегородки, с порами
диаметром не более 1—2 микронов.
Иногда применяются и густые плетеные вольфрамовые сетки. Опыт показал,
что пары цезия, находящиеся под давлением Ю-7 мм рт. ст., при
соприкосновении с вольфрамовой поверхностью, имеющей температуру 1200°
К, могут быть ионизованы на 99,5%. Нагрев вольфрамовой решетки (так
называемого эмиттера, т. е. излучателя ионов) обычно осуществляется
электрическим током, как и испарение цезия; впрочем, для последней цели
используются и такие средства, как, например, обогрев горячим маслом ).
Мощным источником ионов могла бы служить, конечно, электрическая дуга, большим достоинством которой
является то, что она может обеспечить ионизацию любых веществ, а не только одних щелочных металлов.
|
Материал ионизующей поверхности должен обладать высокой температурой плавления. Этому требованию вполне отвечают вольфрам (температура плавления 3370° С), рений (3167° С), углерод (3550° С). Вот почему наиболее часто предполагается применение именно этих веществ, в особенности вольфрама.